?PECVD
發(fā)布時(shí)間：2022/01/04
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。這種方法有很多優(yōu)點(diǎn)，比如成膜質(zhì)量好等。比如：在PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最后的鈍化保護(hù)層，提高集成電路的可靠性。